3月22日，高通举办骁龙835平台亚洲首秀，在大会上，高通向我们全面展示了骁龙835的极致性能。
骁龙835移动平台相比的骁龙处理器是一次较为全面的升级，体现在骁龙835（SoC部分）采用三星10nm FinFET制程工艺打造，在CPU方面，骁龙835搭载自主Kryo 280核心，其中包括4*2.45GHz的性能核心以及4*1.9GHz的效率核心。而GPU方面，骁龙835则内置了Adreno 540。
另外，骁龙835内置Spectra 180双ISP，支持QC 4.0快速充电、Aqstic音频解码+扬声器。跑分方面从原型机测试数据看，骁龙835平台Geekbench 4单核得分2048、多核得分为6478。安兔兔总分为182548分。相信量产机在跑分上还有很大提升空间。
对比骁龙821有何优势？
我们不妨将骁龙835和上一代的旗舰处理器骁龙821来做一个对比，这样可以更加直观。
首先，骁龙835采用更为先进的制程工艺，是半导体最新的10nm制程工艺，与骁龙821的14nm FinFET工艺相比，三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
而且CPU方面，骁龙835为八核处理器，在多线程性能上面要明显优于骁龙821的四核。GPU方面向来为高通强项，自不必多言，在VR等方面Adreno 540比Adreno 530拥有更好的支持。另外，骁龙835将采用比骁龙821更为完善的Vulkan图形API。
基带方面，骁龙835处理器集成了X16千兆级LTE调制解调器，同时还集成2x2 802.11ac Wave-2和支持多千兆比特Wi-Fi的802.11ad，是首款在家中和外出时都能提供千兆级连接的商用处理器，相比于骁龙821的X12提升明显。骁龙X16 LTE调制解调器将为骁龙835带来Cat 16载波聚合，在真实网络下下行平均速率可以到114Mbps，13秒内下载一部影片，速度快过从电脑拷贝到手机，比Cat 6网络快大约2倍。
最后在充电速度上，QC4.0 快速充电技术相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。
