时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年还会降低30％，直到下一轮涨价。
2018年的NAND市场由涨转跌，这个趋势还会在今年得到延续，不过2019年闪存市场上的变数不只是降价这么简单，新技术、新产品以及中国厂商的加入都会对这个市场带来很大的变化。
需求不足跌价成必然
2018年NAND闪存之所以大降价，一个关键原因就是64层堆栈的3DNAND闪存大规模量产，实现了从32层／48层堆栈到64层堆栈的飞跃，使得NAND闪存每GB成本降至8美分，相比之前2DNAND闪存的成本高达每GB21美分，成本的降低才让NAND降价成为可能。
NAND Flash市场在过去几年几经产业调整，在供过于求的压力下，2015到2016年市场开始下滑，2017年再度风生水起、涨势不断，然而好景象并没有如期延续，各家大厂竞相强化投资规模，3DNAND Flash新增产能支持，市场需求却成长平缓，这也加速了2018年全球NAND Flash价格一路走跌。
受到技术与良率瓶颈，2018年3DNAND良率提升速度并不如预期顺利，因而导致次级品在外流通销售，进而干扰市场价格，对应至终端应用，消费型SSD市场首当其冲。
巨头为曾经的美好还债
苦日子还没到头，预计今年NAND闪存的价格还要再跌50％，NAND及SSD厂商这两年要为前两年的涨价还债了。
近期发布财报的西数就已经表露出NAND闪存降价对他们的巨大影响了，当季度西数营收、盈利同比下滑，虽然NAND闪存位容量出货增长了28％，但是NAND闪存的加价跌了16％，导致西数毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬盘业务那部分就不用说了，同比下滑了810万部，出货量只剩下3410万部。
NAND闪存的降价同样也会影响美光、SKHynix、三星、东芝等公司的财报数据，只不过三星、美光、SKHynix这些公司有DRAM内存的高价支撑，财报数据不会像西数这么惨。为了减缓NAND价格下跌对公司的影响，从西数到美光都在减少NAND闪存产能投资，以便减少NAND供应，缓解市场对降价的预期。
64层和96层堆栈闪存命运各不同
今年将是96层3D闪存爆发的元年。在64层堆栈之后，2018年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40％。工作电压从1．8V降至1．2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30％。
另外，第五代V－NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30％，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20％，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。
各个阵营皆可说是磨刀霍霍，美光、英特尔、东芝、西数及SKHynix也陆续宣布了自家的96层堆栈3DNAND闪存方案，其中西数、东芝的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。
