千禧年是全球半导体产业兴旺的时代，也是中国开始重新关注并发展EUV技术的时期，最初开展的基础性关键技术研究主要分布在EUV光源、EUV多层膜、超光滑抛光技术等方面。
2008年，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项将EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。中国企业将EUV列为了集成电路制造领域的发展重点对象，并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化；
2016年，清华大学“光刻机双工件台系统样机研发”项目成功通过验收，标志中国在双工件台系统上取得技术突破，在实现光刻机国产化万里长征上踏出了重要一步；
2017年，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。专家评审充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步；
2018年，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片...
可以看到，在光刻机的自主研发进程上，中国也取得了很大的进步。但是想要赶上国际列强的水平，仍然需要更多的努力。
除了政策与学术科研单位的大力支持以外，不少企业也积极投身于此，比较知名的有上海微电子装备、合肥芯硕半导体、无锡影速半导体、先腾光电科技等等。
其中，上海微电子装备有限公司可以说是我国光刻机生产的龙头企业，目前可以稳定生产90nm制程工艺的光刻机，并且占领了国内80％的光刻机市场。据悉，目前已经开始了65nm制程光刻机的研制。
总而言之，我国光刻机技术发展较晚，也没法像5G这种新兴技术一样能够“后来居上”，目前的光刻机技术还在起步探索阶段，虽然取得了一些小成就，但离ASML这种光刻机巨头的先进工艺技术还有很大差距。
如今正是国家政府大力发展半导体产业的兴旺时期，希望科研单位、相关企业的努力不会白费，早日让中国打造出属于自己的高端光刻机产品，以打破国外的垄断。
