三星3nm工艺亮相:能否挽回苹果订单?

雷科技
关注

3月15日消息,在最近的IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星首次展示了采用3nm工艺制造的256Mb(32MB)容量SRAM存储芯片。该芯片应用了MBCFET技术,写入电压仅需0.23V,是三星实现新工艺量产的一次重大进步。

据悉,三星的3nm工艺采用了GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,与上一代7LPP FinFET工艺相比,晶体管密度可以提高80%,性能最高可提升30%,或者降低50%的功耗。

三星与台积电并列为全球两大芯片代工厂,但是却总是稍逊台积电一筹。2015年苹果iPhone 6S系列大卖,为了提高新品产能,同时使用了三星14nm和台积电16nm工艺代工,然而台积电出产的芯片性能稳定,三星的芯片却两极分化严重,部分芯片性能、发热均表现出色,另一些芯片则出现了发热翻车的现象。

后来苹果芯片的代工订单基本都交给了台积电,三星则与高通签订了多年合作协议。3nm是芯片工艺的全新节点,比5nm、4nm更为重要,三星早前已经开始布局,抢在台积电之前,展出了成品。

根据产业链曝光的消息,台积电也在研发3nm工艺,遗憾的是新工艺仍将采用FinFET立体晶体管技术,号称与5nm工艺相比,晶体管密度将提高70%,性能可提升11%,或者功耗降低27%。

从纸面参数来看,三星这一次似乎有望实现全面反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况,台积电则基本确认,客户会包括苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等,貌似Intel也有意寻求台积电的先进工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用GAAFET技术,要等待三年左右才能面世。

这两家厂商的3nm工艺都将在今年年底试产,明年正式量产。三星能否弯道超车,只有等待产品量产之后,经过消费者检验,我们才能知道。

来源:雷科技

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。
侵权投诉

下载OFweek,一手掌握高科技全行业资讯

还不是OFweek会员,马上注册
打开app,查看更多精彩资讯 >
  • 长按识别二维码
  • 进入OFweek阅读全文
长按图片进行保存