由于疫情尚未平复,台积电依然沿用去年的线上模式举办这次论坛。
在本周举行的台积电2021年技术研讨会上,台积电CEO魏哲家分享其先进逻辑技术、特殊技术、3DFabric先进封装与芯片堆叠等方面的最新进展。
台积电CEO魏哲家在大会上说道:“数字化转型为半导体行业开辟了一个充满机遇的新世界,我们的全球技术研讨会强调了我们增强和扩展技术组合的许多方法,以释放客户的创新。”
首先,台积电将其领先的工艺节点分为三个产品家族:7nm、5nm和即将推出的3nn工艺节点。随着许多客户迁移到更先进的工艺节点,7nm产能增速放缓,预计2021年产能仅增加14%,与曾经16nm工艺系列产能进展类似。与之对应的,目前代工厂主要专注于5nm和即将推出的3nm芯片产品。
在研讨会上,台积电官方介绍了5nm工艺新成员N5A。N5A工艺旨在应对当今对计算能力需求不断增加的汽车应用。由于有台积电汽车设计平台的支持,N5A计划于2022年第三季度上市。
同时,台积电透露了其4nm和3nm的最新进展。4nm加强版采用与N5几乎近相同设计法则,在性能、功耗和集体管密度上均进一步提升,通过逻辑的光学微缩、标准单元库的改进和设计规则的推动,N4的晶体管密度较N5提升6%。台积电还声称,N4自2020年技术研讨会上宣布以来进展顺利,预计2021年第三季度风险量产。
而3nm方面,依靠业经验证的FinFET晶体管架构,得以实现最佳性能、功耗和成本效益,与N5相比,台积电N3性能提升15%、功耗降低30%、逻辑密度增加70%,有望在2022年下半年开始量产,同时成为世界上最先进的芯片制造技术。
随着台积电3nm开始量产,可以预测各家手机厂商的旗舰手机SoC也将更新至3nm。不过射频芯片没有像手机SoC制程一样频繁升级,依然使用16nm左右制程,但这一局面可能会在未来有所改变。
作者:家衡
