6月23日，博主＠数码闲聊站在微博透露，联发科已经拿下台积电明年上半年4nm工艺产能，首款4nm芯片应该会在明年发布，OPPO、vivo、小米等厂商都会跟进使用。
同时，供应链消息称，联发科已经在着手研发3nm制程的新旗舰芯片，基于台积电3nm工艺，预计会在2022年下半年投产。
4月份时，外媒gsmarena报道称联发科将跳过5nm工艺，直接推出4nm芯片，成为业内首家发布4nm芯片的厂商。而这款处理器产品应该就是传言许久的天玑2000，据说其性能有望超越目前的高通骁龙888。
如果天玑2000的性能达到预期，再结合4nm工艺带来的功耗优化，那么的确是很有竞争力的一款产品。今年的骁龙888性能确实足够强劲，但在功耗控制上还是稍显不足，遭受部分用户的吐槽，这或许会成为天玑2000弯道超车的好机会。
不过，高通也在着手研发下一代骁龙895芯片，有了骁龙888的经验，下一代芯片的功耗应该会有大幅提升。按照高通以往的惯例，骁龙895会在今年12月发布，于明年2月份左右上市。那么天玑2000的对手就会从骁龙888变成骁龙895，不知两者孰强孰弱，令人期待。
另外，联发科也在研发基于台积电3nm工艺的全新旗舰芯片，按照台积电的数据，3nm工艺相比上一代会有15％的性能提升，同时提高30％的效能，对功耗的把控会更加到位。届时，联发科3nm旗舰芯片的性能有望更进一步提升，超越下一代骁龙895应该问题不大。
此前传言称高通要告别三星，转向台积电6nm工艺，用以生产下半年的骁龙888 Pro。但是Redmi产品总监王腾却否定了该说法，表示下半年没有台积电版本的骁龙888。也就意味着即便有骁龙888 Pro，也依旧是使用三星工艺，那功耗表现就有点令人担忧了。
不仅如此，爆料称明年的骁龙895依旧会使用三星4nm工艺，并没能回归台积电。而联发科方面已经提前预定了台积电4nm和3nm工艺，难道发哥这回真的要弯道超车冲上高端了？
来源：雷科技
