SK海力士官宣:238层NAND闪存芯片明年上半年量产

OFweek电子工程网 中字

8月3日,世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士(SK Hynix)宣布,已经开发出最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。

据SK海力士介绍,新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

此前,SK海力士了英特尔NAND业务后将其正式更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和铠侠的18.9%。

如今,各大芯片厂商在对待先进制程的NAND闪存芯片上一个比一个卷,上周美光也宣布已开始量产全球首款232层NAND,与前几代美光NAND相比,它具有业界最高的面密度,并提供更高的容量和更高的能效。

美光表示,232层NAND技术实现业界最快的NAND I / O速度:每秒2.4GB,比美光176层NAND快50%。美光的232层 NAND实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度:14.6Gb/mm2。232层NAND采用新的11.5毫米x13.5毫米封装发货,其封装尺寸比美光前几代产品小28%。目前,美光的232层NAND已在该公司的新加坡工厂量产。

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