150mm的6英寸硅片产能在1999年左右开始下降，200mm硅片产能在2009年左右下降，表明接近10年为一个硅片尺寸发展周期，由此推算 2019年应该发生450mm与300mm的硅片交替。目前受限于全球经济大环境及摩尔定律趋向终结等因素，450mm硅片可能会推迟更替。
为了迎接挑战，加快EUV光刻与450mm的进程，半导体产业链合作也在悄悄发生变化，如2012年ASML接受英特尔、台积电与三星的投资入股。
很难再现两位数以上增长
450mm硅片和EUV光刻尚需在技术手段及市场接受度方面取得突破。
受限于IC研发成本的高耸，许多顶级的IDM大厂开始拥抱代工，或转变成fabless。在尺寸缩小方面，可能会于14nm制程时受限，即便有一定的进展，未来由于成本太高，每两年上升一个工艺台阶的进程肯定会减缓。
虽然450mm硅片会伴随着14nm及以下制程推进，但是根据目前已公布的路线图显示，英特尔在2013年将开始投产20nm制程，2014年晋升 至14nm，2015年将达到10nm(滞后于研发路线图)。而台积电的工艺路线图为16nm提前至2013年10月～12月投产，10nm技术在 2015年投产，并声称从16nm开始采用Fin-FET结构。因此估计全球450mm硅片生产线最快可能于2015年有样片流出。
不管如何，全球半导体业自2010年增长32%之后，2011年及2012年连续两年踏步不前，今后在450mm硅片与EUV光刻未实现突破的情况下很难再实现两位数以上的增长。
未来半导体制造工艺可能还有两个“发动机”，分别是450mm硅片和EUV光刻。相对于EUV光刻，450mm硅片可能会走在前列。不过目前两者都遇到瓶颈，尚需在技术手段及市场接受度方面取得突破。
