在今年的Hot Chip2016大会上，大家想看到的 DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继的展示在公众面前，可以说，这届大会上，内存技术的突飞猛进成为了科技媒体们争相报道的热点。而且这些新的标准和技术距离我们并不遥远，在未来2年时间就应该会陆续见到使用这些新一代技术的产品了。
关于 DDR5内存，他们的设想是单条容量最小为8GB、最大容量为32GB（天啊！4插在32*4=128GB内存，现在看来有点逆天）， 带宽最高为6.4Gbps，比DDR4足足提升了100%，但是在电压上则是维持了在1.1V，与DDR4持平，可以说设想DDR5的进步是历史上的第一次飞跃。
而关于DDR5内存的量产，美光则计划在2019年开始，而三星则会在2018年就行动起来了（不能输！）。
而关于 GDDR6显存则会向14Gbps冲击，相比于现在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps还是有点看头的，而电压则是1.35V。
而到了LPDDR5这一块，目测就要稍微等一等了，毕竟在它来临之前，还有一个属于过渡性质的LPDDR4X，而且美光、三星和海士力都有相关的规划，至于相比于LPDDR4有何不同，不同点就在于速度从原来的3733Mbps提高到4266Mbps，其余的电压则维持不变。
