一、前言:为了骁龙888 网友们都吵翻天了
进入2021年,随着骁龙888机型的上市热销,关于骁龙888的话题讨论也不时见于网友帖子和媒体新闻报道。
正所谓“人红是非多”,在讨论当中一些用户的声音肯定了其提升幅度和担当安卓阵营顶流旗舰平台的价值所在;也有一些声音发出了质疑,认为其在性能提升的同时带来的更高功耗是“翻车了”,更有甚者搬出了骁龙810这个带有不好回忆的处理器与之类比。
那么这个充满话题性的骁龙888究竟是一个怎样的5G平台?相比前代作品究竟做了怎样的提升和改善?所谓“翻车”的声音因何而来,又是否准确?
带着这些疑惑和问题,我们以小米10系列机型和小米11分别为骁龙865、骁龙888的测试终端,尝试通过接下来一番全面深入的理论解读和实机对比评测,争取为大家带来一些能够参考的观点和答案。
注意:为了尽可能控制变量,接下来测试过程当中担当测试终端的小米10与小米11均在1080P分辨率、60Hz刷新率下运行,采用最低显示亮度,都在24℃左右的室内,在同一位置进行。
二、制程工艺简单科普:三星与台积电真的无法比较
需要注意的是, 7nm、5nm这样的工艺节点名称,如今变得越来越复杂,尤其是不同代工厂的工艺节点,几乎完全失去了可比性,三星5nm优于台积电7nm、台积电7nm优于Intel 10nm……这样简单粗暴的论断是极端不合适的。
根本原因在于,半导体制程工艺从来都没有固定的行业标准,如何设计、命名完全是各家工厂自己说了算。早些年的制程工艺普遍还有这相对比较严格的定义,一切以技术为本,但是自从台积电16nm、三星14nm开始就完全乱了,两家很多时候为了在指标上更好看开始各种骚操作,比如台积电16nm改进一下就叫12nm ,显得比三星14nm更先进,而三星更是无所不用其极,改一下就是一代新工艺。
Intel曾经对这种“不负责任”的做法非常愤慨,提出以晶体管密度为标准,但一来晶体管密度不能完全作为工艺制程定义的规范,二来Intel自己的工艺确实遇到了很多困难和尴尬,三星、台积电根本不屑一顾,这种争论也就不了了之了。
话说回来,不同晶圆工厂的工艺制程,也确实难以从微观层面进行高低比较,比如骁龙888采用的三星制程工艺,就与我们所熟知的台积电制程工艺存在区别:
三星与台积电一直都存在技术路线的分歧,这一点在10nm之后特别明显。比如三星7nm节点选择了某几层的EUV(极紫外光)光刻,而台积电的前两代7nm工艺在用193nm波长的浸入式光刻,虽然它们的名字都是“7nm制程”,但是呈现出来的样子总是千差万别。
值得一提的是,三星此后的6nm,以及骁龙888选择的5nm实际都是7LPP工艺的同代演进,而台积电则不然,所以两者的技术路径、迭代方式长期存在较大差异,目前无法从微观层面判断三星5nm与台积电5nm的孰优孰劣、有无高下之分。
三星7LPP工艺的同代演进包括6nm、5nm、4nm在内
相同的缘故,在缺乏更多公开数据支撑的情况下,我们无法判断骁龙888采用的7LPP同代演进的三星5nm制程工艺与骁龙865采用的台积电7nm制程工艺综合起来谁更胜一筹。
简而言之,由于不同晶圆厂商的工艺制程存在不同标准、不同迭代节奏、不同命名规则的差异,可能没有办法将骁龙888与骁龙865在制程上进行微观层面的高低性能比较,故不敢妄下断言。
