英特尔在北京举办“精尖制造日”活动，本次活动可谓云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团，闭关修炼的英特尔终于秀出了它的10nm工艺。并笑称：“老虎不发威，你当我是病猫？”
这个让英特尔憋了许久的一招“绝技”到底有多牛叉？我们先回顾一下此次活动，英特尔给外界透露了哪些消息。
首先英特尔的执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，摩尔定律不会失效，且英特尔正在沿着该定律勤勤恳恳的向前推进着。不过，节点在进化的途中面临着时间越来越长的困境。这个难题怎么破解呢？
此时英特尔秀了一下“超微缩技术”，表示该技术让英特尔能够加速推进密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可实现增强。具体优势可以见下图：
超微缩技术的使用，英特尔的14nm制程工艺更加优秀。虽然同为14nm，英特尔的芯片密度更高，性能更强。其它的10nm制程工艺，仅相当于英特尔14nm工艺制程的芯片密度。
Stacy Smith认为英特尔在14nm制程工艺上保持着大约三年的领先性。
（这句话咋这么耳熟呢？毕竟我们不止一次听到英特尔自夸自己的制程工艺比友商领先。这些友商又是谁呢？英特尔在活动上说：拥有领先逻辑晶圆厂的公司数量已经越来越少，众多公司已经被淘汰出局。目前在14－16nm节点只剩4家（英特尔、三星、台积电、格芯），且仅有2家（英特尔、三星）有一体化的器件生产能力。）
随后，英特尔秀了一下业务实力，2016年全球晶圆代工收入为530亿美元，其中高端技术（28／20／16／14nm）代工收入2016年达到230亿美元。英特尔将致力22／14／10nm工艺节点的晶圆代工，发力高端市场。
最后，大戏登场——10nm 晶圆。
英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr负责介绍了相关细节。
一开始就表示，英特尔是首家做到22nm FinFET的公司，比竞争友商至少领先三年。
Mark Bohr说，14nm到10nm所花费的时间超过两年，但密度提升非常可观。晶体管密度每两年提高约一倍，10nm每平方毫米晶体管数量超过1亿个，而14nm每平方毫米晶体管数量只有不到4000万个。
Mark Bohr介绍了14nm超微缩相对于22nm超微缩的领先性，同时也介绍了10nm相对于14nm超微缩的技术差异。他说，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶体管有了极大的突破。10nm鳍片的高度较14nm提高25％，间距缩小25％，超强的微缩能力和全新特性将晶体管密度提升了2．7倍。
最后的最后，我们显然会看到与手机发布会一样的友商对比图。如下：
迟到英特尔为啥还这么自信？
虽说英特尔在会上表示自己是首家做到22nm FinFET的公司，且比友商技术至少领先三年。但好汉不提当年勇，22nm之后的江湖却又是另一场血雨腥风。
2014年英特尔推出了14nm工艺，之后仅一年不到的时间，三星也推出了自家的14nm工艺，随后台积电也推出了其16nm工艺。2015年下半年发布的苹果iPhone 6s所搭载的A9处理器就分别采用了三星的14nm工艺和台积电的16nm工艺。去年年底，三星和台积电又相继推出了自己的10nm工艺，这也比英特尔的10nm工艺早了将近一年的时间。
这就相当尴尬了……
曾经的江湖工艺排行第一把交椅的英特尔就这么凉了？显然，它不会坐以待毙。
